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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
20
4.0
16
V GS = 4.5V
V GS = 2V
3.5
V GS = 1.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
12
8
V GS = 2.5V
V GS = 1.8V
3.0
2.5
2.0
V GS = 1.8V
V GS = 2V
1.5
V GS = 2.5V
4
0
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1 2
3
V GS = 1.5V
4
1.0
0.5
0
4
8
12
V GS = 4.5V
16
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 6.2A
V GS = 4.5V
150
120
I D = 6.2A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
90
1.0
0.8
60
30
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
16
V DS = 5V
1
12
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
8
T J =
150 o C
4
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC637BNZ Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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